Déposé par DAVAL le 03 Février 1999 à 13:11:37:
Je dois actuellement faire une bibliographie
sur les EEPROMs analogiques. Ceci en vu de
lancer un run d'ici 6 mois.
J'ai retenu le principe de la grille flottante
d'un transistor MOS. Les charges sont envoyées
sur la grille par effet tunnel fowler-nordheim entre
deux couches de polysilicium (1 et 2): 20nm d'oxyde
Seulement cette technique semble peu rapide, même si
elle est très sûre et très précise.
Merci de m'envoyer tout ce que vous connaissez sur
le sujet ou si vous pouvez des références sur le
sujet.
MERCI.
NICOLAS :-)