Déposé par Bertrand le 17 Avril 1999 à 11:47:59:
En réponse à: Re: Pourquoi la température fait varier le courant dans un semiconducteur (principe physique) posté par V. Zoicas le 30 Mars 1999 à 20:10:55:
Le principe général à l'origine de la dépendance
du courant dans un semiconducteur vis-a-vis de
la température est simple; les électrons qui
sans excitation (ou au zéro absolu si on veut)
sont localisés dans la bande de valence sont
excités vers la bande de conduction avec l'énergie
apportée par la température (kt).
La bande de conduction est celle qui permet la "conduction
des électrons" = électron libre de se mouvoir
sous l'action d'une force i.e. d'un champ électrique).
Ainsi, dans un semiconducteur simple, la conductivité
augmente avec la température alors qu'avec
un métal elle diminue. Ceci décrit "simplement"
le comportement particulier des sc avec la température.
Pour rentrer dans les détails des composants
il faut aller un peu plus loin dans la théorie.
J'espère que cette réponse te servira à quelque chose.
Bertrand
: : Je dois réaliser une étude sur un capteur de température par transistor, et je cherche quel est le principe physique, lorsque le transistor est soumis à la température. Je sais que le courant varie mais pourquoi ?
: Réponse :
: La dépendance d’un transistor avec la temp. est similaire à celle d’une diode.
: Pour un PNP :
: J emetteur=[((e*ni^2*Dn)/(We*Na))+ ((e*ni^2*Dp)/(We*Nd))*((e^(Veb/Vt)-1)]-
: -[((e*ni^2*Dp)/(Wb*Nd))*(e^(Vcb/Vt)-1)]en A/cm^2
: ni=densité intrinseque de porteurs
: Dn=longueur de diffusion de e- dans l’emetteur (régions longues)
: We=largeur de la ZCE coté emetteur
: Na=dopage dans la base
: Dp= longueur de diffusion de trous dans dans la base (régions longues)
: e=1.6*10^-19 C
: Nd=dopage dans l’emetteur
: Wb=largeur de la ZCE coté base
: Veb, Vcb=polarisations
: Vt=tension thérmique =kT/e=0.025 V à 300K,
: d ‘où la dependance avec la temperature
: Même chose pour les autres deux courants(Ib et Ic)