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Transistors à effet de champ à hétérojonctions sur matériaux III-V pour applications hyperfréquences

Ce site est le résultat de la mise en commun de connaissances acquises au cours de nos travaux de recherche sur les transistors à effet de champ à hétérojonctions sur matériaux III-V. Les informations qu'il rassemble vont de la physique des matériaux aux applications des circuits intégrés hyperfréquences. Les points ayant trait à nos recherches personnelles font bien sûr l'objet d'un développement plus important. Cela concerne les matériaux III-V et leur épitaxie, la simulation Monte-Carlo du transport électronique dans les matériaux et les composants ainsi que la technologie des transistors.

Du fait du nombre d'auteurs participant à ce projet, les différentes parties du sommaire présenté ci-dessous ne seront pas développées dans l'ordre ; nous nous en excusons.

Les auteurs

Hyperfréquences : propriétés et applications

Transistors HEMT sur matériaux III-V

Simulation physique de composants

Epitaxie par jets moléculaires

Technologie des composants

Caractérisation électrique

Bibliographie

Pour en savoir plus ... (quelques liens)
 


Pages personnelles et coordonnées des auteurs

F. Banse -  P. Chevalier -  F. Dessenne -  J.-L. Thobel -  O. Schuler


Ce site est réalisé dans le cadre de l'Atelier de Recherches Pédagogiques de l'EUDIL.

Dernière mise à jour : 01 mars 1999